传统的二硫化钼薄膜制备方法是将MoS2材料是采用CVD法在Si衬底上制备然后移植到其它材料上（如GaN衬底）。这种技术虽然简单易行，通用性强，但是却具有非常致命的缺点，就是MoS2材料与衬底材料的结合力比较差，转移过程中会引入额外的缺陷，降低产品质量，另外转移移植过程也相当繁琐。因此，这样所制得的材料也就无法广泛应用于电力电子领域甚至是发光领域。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种MoS2薄膜的新制备方法。
以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的过程为：以硫粉和MoO3为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS2薄膜。
该制造方法的注意事项如下：
（1）衬底在使用之前应先进行清洗，清洗过程为：将衬底依次进行丙酮超声清洗、乙醇超声清洗、硫酸和硝酸混合液清洗、盐酸和双氧水混合液清洗、氢氟酸溶液清洗。
（2）所述生成MoS2薄膜的反应温度为600—700°C，反应时间为5—10分钟。
（3）M0S2薄膜的层数为单层，所述硫粉和MoO3的质量比为50：1；薄膜的层数为双层，硫粉和MoO3的质量比为30：1；薄膜的层数为大于等于三层，硫粉和MoO3的质量比为15：20：10.
（4）M0S2薄膜的每一层厚度为0.7—0.8nm；单层薄膜的能带带隙为1.82eV。
与现有技术相比，该生产技术的优势有：以GaN为衬底，有效结合了GaN本身的特性，保证了硫化钼材料与衬底材料之间的结合力，使转移过程中不会引入额外的缺陷，提高了制得的MoS2薄膜的质量；再通过调整制备过程中的各反应参数或者原料质量比，进一步提高了制得的薄膜的质量。总的来说，该新方法的操作步骤较简单，且产品质量较高，较适合能满足电力电子领域和发光领域对无机纳米膜材料的质量要求。
