南通同方订购VEECO MOCVD进行硅基氮化镓LED研究
Veeco公司日前宣布南通同方半导体有限公司已收到了Veeco的TurboDisc® K465i™ MOCVD设备用于研究硅基氮化镓HB LEDs。该设备已交付于同方位于中国南通的新LED技术研发中心。
南通同方半导体的总经理刘刚博士表示：“目前我们正成功地使用Veeco的MOCVD设备生产基于蓝宝石衬底的氮化镓LED，而LED将是我们接下来几年科研投资的重要焦点。”
Veeco高级副总裁Jeff Hawthorne表示：“很多LED客户正在发展硅基氮化镓技术，该技术在不牺牲最终产品性能的情况下降低了LED制造成本，提供了加快普及固态照明的可能。”
据Veeco公司介绍，K465i的特点是薄膜品质高、瑕疵率低，且集成了Veeco的Uniform FlowFlang®技术，具有出色的均匀性和优异的重复性。采用TurboDisc技术的设备维修需求低，从而提供最长的连续生产时间、极低微粒子产生的优越性能以及高产量。Veeco并称K465i提供了易于调试的快速优化工艺，支持最大8英寸的晶圆。日常维护后机台恢复迅速。
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